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[供应] 永源微 AP8G04S 40V,N+P沟道增强型MOSFET

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发表于 2025-3-18 09:57:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: AP8G04S
AP8G04S采用先进的沟槽技术,可提供出色的R-D(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压。该装置适用于电池保护或其他开关应用。

一般特征
●V-DS=40V,I-D=8.3A
●R-DS(ON)<25mΩ@V-GS=10V(类型:18mΩ)
●V-DS=-40V,I-D=-6.3A
●R-DS(ON)<50mΩ@V-GS=-10V(类型:42mΩ)
封装 SOP8

应用: [ 升压驱动器 ][ 无线充电 ][ 无刷电机 ]


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