杭州镓仁半导体发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶
发布时间：2025-3-6 08:55
发布者：eechina
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杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）今日宣布，成功研发并发布了全球首颗第四代半导体氧化镓（Ga₂O₃）8英寸单晶。这一里程碑式的成果标志着镓仁半导体在半导体材料领域取得了重大突破，成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业。 氧化镓作为一种新型超宽禁带半导体材料，以其优异的物理性质和广泛的应用前景备受瞩目。其禁带宽度高达4.8-4.9eV，远超碳化硅（3.25eV）和氮化镓（3.4eV），具备耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等突出特性。同时，氧化镓的击穿场强理论值可达8MV/cm，是氮化镓的2.5倍、碳化硅的3倍有余，这使得氧化镓在制备高性能功率器件方面具有得天独厚的优势。 镓仁半导体此次发布的8英寸氧化镓单晶，采用完全自主创新的铸造法生长技术。该技术由浙江大学杨德仁院士团队自主研发，具有成本低、效率高、晶体质量高等显著优势。通过该技术，镓仁半导体成功实现了8英寸氧化镓单晶的稳定生长，并可加工出相应尺寸的晶圆衬底，为氧化镓材料的大规模产业化应用奠定了坚实基础。 8英寸氧化镓单晶的发布，对半导体产业具有深远的意义。首先，8英寸氧化镓单晶能够与现有硅基芯片厂的8英寸产线兼容，这将显著加快氧化镓材料的产业化应用步伐。其次，氧化镓衬底尺寸的增大，将提高其利用率，降低生产成本，提升生产效率。此外，中国率先突破8英寸氧化镓技术壁垒，不仅标志着我国在超宽禁带半导体领域的技术进步，更为我国在全球半导体竞争中抢占了先机。 镓仁半导体成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料及设备研发、生产和销售的科技型企业。公司依托浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室、浙江大学杭州国际科创中心等科研平台，已形成一支以中科院院士为首席顾问的研发和生产团队。此次8英寸氧化镓单晶的成功发布，是镓仁半导体技术创新能力的重要体现。 |
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