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NAND闪存芯片MT29F8G01ADAFD12-AAT:F,MT29F8G08ADADAH4-IT:D,MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F
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xingjijinhua
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发表于 2025-2-7 10:40:04
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明佳达,星际金华供求NAND闪存芯片MT29F8G01ADAFD12-AAT:F,MT29F8G08ADADAH4-IT
,MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F
MT29F8G01ADAFD12-AAT:F 8Gbit 多路 NAND 闪存 IC 24-TBGA
产品描述
MT29F8G01ADAFD12-AAT:F 是 8Gbit SPI 3.3V 多路复用 NAND 闪存芯片,封装为 24TBGA。
特性
随机读取:25µs
块擦除:2 毫秒(典型值)
工作温度: 商用(0°C 至 70°C)
扩展温度(-40°C 至 +85°C)
MT29F8G08ADADAH4-IT
NAND 闪存芯片 63-VFBGA
产品描述
MT29F8G08ADADAH4-IT
是 NAND 闪存设备,包括一个异步数据接口,用于高性能 I/O 操作。它有五个控制信号用于实现异步数据接口: CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。
特性
tRC/tWC:20ns(3.3V),25ns(1.8V)
程序页面: 200µs (TYP: 1.8V, 3.3V)
交错芯片 (LUN) 操作
第一个块(块地址 00h)在出厂时带 ECC 时有效。
MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F 4Gbit 并行存储器芯片 63-VFBGA
产品描述
MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F 是 4Gbit 并行 FLASH - NAND 存储器 IC,封装为 63-VFBGA (9mmx11mm)。
特性
接口类型: 并行
数据
总线
宽度:8 位
组织结构 512M x 8
定时类型 异步
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