MOSFET晶体管IPB100N04S4-H2，串行F-RAM存储器CY15B128Q-SXET，NOR闪存存储器S29GL032N90TFI030

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明佳达，星际金华供应 MOSFET晶体管IPB100N04S4-H2，串行F-RAM存储器CY15B128Q-SXET，NOR闪存存储器S29GL032N90TFI030



IPB100N04S4-H2 40V OptiMOS-T2 汽车 MOSFET 晶体管

产品描述
IPB100N04S4-H2 是 40V、最大 2.4mΩ 的 OptiMOS-T2 汽车 MOSFET 晶体管。

特性
N 沟道 - 增强模式
通过 AEC 认证
MSL1 峰值回流温度高达 260°C
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 规范）
100% 通过雪崩测试

应用
电动助力转向 (EPS)
轻型电动汽车 (LEV)

CY15B128Q-SXET 128Kbit 汽车电子串行 F-RAM 存储器 IC SOIC-8

产品描述
CY15B128Q-SXET 是一款采用先进铁电工艺的 128-Kbit 非易失性存储器。F-RAM 是非易失性存储器，其读写功能与 RAM 相似。它能提供 121 年的可靠数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

功能特点
128-Kbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 16K × 8
极快的串行外设接口 (SPI)
频率高达 33-MHz
直接硬件替代串行闪存和 EEPROM
支持 SPI 模式 0（0，0）和模式 3（1，1）
低功耗
33MHz 时 5mA 工作电流
500A 待机电流
12A 休眠模式电流
低电压运行： VDD = 2.7V 至 3.6V
汽车使用温度：-40℃ 至 +125
8 引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装

应用
汽车车身控制模块 (BCM)
汽车主机

S29GL032N90TFI030 32Mbit 并行 NOR 闪存 IC TSOP-48

产品描述
S29GL032N90TFI030 - 32Mbit 并行 NOR 闪存 IC，TSOP-48

S29GL032N90TFI030 是采用 110 纳米 MirrorBit 技术制造的 3.0 伏单电源闪存。

S29GL032N90TFI030 是一款 32Mbit 器件，以 2,097,152 个字或 4,194,304 个字节组织。它可以在主机系统或标准 EPROM 编程器中进行编程。

特点
单电源操作
采用 110 纳米 MirrorBit 工艺技术制造
增强型 VersatileI/O™ 控制
兼容 JEDEC 标准
增强型 VersatileI/O™ 控制
所有输入电平（地址、控制和 DQ 输入电平）和输出均由 VIO 输入电压决定。VIO 范围为 1.65 至 VCC

性能特点
高性能
90 ns 访问时间
8 字/16 字节页面读取缓冲器
25 ns 页面读取时间
16 字/32 字节写缓冲器可缩短多字更新的总体编程时间
低功耗
25 mA 典型初始读取电流、
1 mA 典型页面读取电流
50 mA 典型擦除/编程电流
1 µA 典型待机模式电流