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[供应] IS46LQ32128A-062TBLA2移动存储器,TPS22965PQWDSGRQ1汽车负载开关,SI8233BD-D-IS栅极驱动器

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发表于 2025-1-15 12:17:04 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: TPS22965PQWDSGRQ1 , SI8233BD-D-IS
明佳达,星际金华供应 IS46LQ32128A-062TBLA2移动存储器,TPS22965PQWDSGRQ1汽车负载开关,SI8233BD-D-IS栅极驱动器



IS46LQ32128A-062TBLA2 4Gbit 1.6GHz 3.5ns SDRAM 移动存储器 IC

产品描述
IS46LQ32128A-062TBLA2 4Gb LPDDR4X移动SDRAM是低压存储器器件,具有低压内核和I/O电源要求,因此非常适合用于移动应用。该款产品采用双倍数据速率架构,实现高速运行。双倍数据速率架构本质上是一种16n预取架构,其接口设计为在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。

规格
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
存储容量:4Gb
存储器组织:128M x 32
存储器接口:LVSTL
时钟频率:1.6 GHz
写周期时间 - 字,页:18ns
访问时间:3.5 ns
电压 - 供电:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V
工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:200-VFBGA
供应商器件封装:200-VFBGA(10x14.5)

典型应用:
移动计算
平板电脑

TPS22965PQWDSGRQ1 5.7V 汽车负载开关 4A 电源开关

产品描述
TPS22965PQWDSGRQ1 是一款小型、超低 RON、单通道负载开关,具有可控开启功能。
TPS22965PQWDSGRQ1 包含一个 N 沟道 MOSFET,可在 0.8 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作,最大连续电流为 4 A。VOUT 上升时间可配置,从而降低浪涌电流。
TPS22965PQWDSGRQ1 包括一个 225Ω 片上负载电阻,可在开关关闭时快速输出放电。

规格
通道数 1
电压(最低): 0.8V 0.8V
电压(最大): 6V
最大电流: 4A
罗恩(典型值): 16mΩ
关机电流 (ISD)(典型值): 0.2µA 0.2µA
静态电流 (Iq)(典型值): 50µA 50µA
特点 快速输出放电
额定值 汽车
工作温度范围:-40°C 至 125°C
场效应管:内部
器件类型 负载开关
功能:浪涌电流控制

功能
集成式单通道负载开关
输入电压范围 0.8 V 至 5.5 V
超低导通电阻 (RON)
VIN = 5 V 时 RON = 16 mΩ (VBIAS = 5 V)
VIN = 3.6 V 时 RON = 16 mΩ (VBIAS = 5 V)
VIN = 1.8 V 时 RON = 16 mΩ (VBIAS = 5 V)
4 A 最大连续开关电流
低静态电流 (50 µA)
控制输入阈值低,可使用 1.2、1.8、2.5 和 3.3 V 逻辑电压
可配置上升时间
快速输出放电 (QOD)
WSON 8 引脚封装,带散热垫

应用
汽车电子
- 信息娱乐系统
- ADAS(高级驾驶员辅助系统)

SI8233BD-D-IS 隔离栅极驱动器 SOIC-16 Amp ISOdrivers

产品描述
SI8233BD-D-IS 隔离驱动器将两个独立的隔离驱动器集成到一个封装中。SI8233BD-D-IS 是高压侧/低压侧驱动器。工作电压最大为 24 V。

特点
- 一个封装中包含两个完全隔离的驱动器
- 高达 5 kVRMS 的输入输出隔离
- 高达 1500 VDC 峰值驱动器对驱动器差分电压
- HS/LS 和双驱动器版本
- 开关频率高达 8 MHz
- 4.0 A 峰值输出
- 高电磁抗扰性
- 通过 AEC-Q100 认证
- 提供汽车级 OPN
- 支持符合 AIAG 标准的 PPAP 文件
- 支持 IMDS 和 CAMDS 列表

应用
工业应用
- 电力输送系统
- 电机控制系统
- 隔离式直流-直流电源
- 照明控制系统
- 等离子显示器
- 太阳能和工业逆变器
汽车应用
- 车载充电器
- 电池管理系统
- 充电站
- 牵引逆变器
- 混合动力电动汽车
- 电池电动汽车

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