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明佳达,星际金华供应 MOSFET晶体管IPW60R120P7/MSP430F5152IRSBR微控制器/OPA2377QDGKRQ1运算放大器
IPW60R120P7 600V N 沟道功率 MOSFET 晶体管
产品描述
IPW60R120P7 600V CoolMOS™ P7 超级结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。它在设计过程中继续兼顾高效率和易用性的需求。CoolMOS™ 第 7 代平台同类最佳的 R onxA 和固有的低栅极电荷确保了它的高效率。
特点
效率
600V P7 可实现出色的 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G
易于使用
ESD 强度≥ 2kV(HBM 等级 2)
集成栅极电阻 R G
坚固的体二极管
通孔和表面贴装封装的广泛产品组合
提供标准级和工业级零件
优点
效率高
出色的 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss 可实现更高的效率
易于使用
通过阻止 ESD 故障的发生,实现制造环境中的易用性
集成 R G 可降低 MOSFET 的振荡灵敏度
MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑
在 LLC 拓扑中出现的体二极管硬换向期间具有出色的坚固性
适用于各种终端应用和输出功率
提供适用于消费和工业应用的部件
应用
电视电源
工业 SMPS
服务器
电信
照明
48 V 配电
消费电子产品
DIN 导轨电源
轻型电动汽车 (LEV)
安防摄像头和视频门铃
MSP430F5152IRSBR 微控制器 MCU 16 位 MCU 25MHz 混合信号微控制器
产品描述
MSP430F5152IRSBR 是一款 25MHz、16 位混合信號微控制器,具有 16KB 快閃記憶體、2KB SRAM、10 位元 ADC、比較器、DMA、16 位元高解析度計時器。
MSP430F5152IRSBR 具有功能强大的 16 位 RISC CPU、16 位寄存器和常量发生器,有助于最大限度地提高代码效率。数字控制振荡器 (DCO) 可使器件在 5 µs 内从低功耗模式唤醒到活动模式。
MSP430F5152IRSBR 微控制器包括两个 16 位高分辨率定时器、两个 USCI(USCI_A0 和 USCI_B0)、一个 32 位硬件乘法器、一个高性能 10 位 ADC、一个片上比较器、一个 3 通道 DMA、5 V 容差 I/O 和多达 29 个 I/O 引脚。
功能特点
- 低电源电压范围: 3.6 V 低至 1.8 V
- 超低功耗
- 有源模式 (AM): 180 µA/MHz
- 待机模式(LPM3 WDT 模式,3 V): 1.1 µA
- 关机模式(LPM4 RAM 保留,3 V):0.9 µA 0.9 µA
- 关机模式(LPM4.5,3 V):0.25 µA 0.25 µA
- 从待机模式唤醒少于 5 µs
- 16 位 RISC 架构,扩展内存,40-ns 指令周期时间
- 灵活的电源管理系统
- 完全集成的 LDO,内核电源电压可编程调节
- 电源电压监控、监测和欠压保护
- 统一时钟系统
- 用于频率稳定的 FLL 控制环路
- 低功耗低频内部时钟源 (VLO)
- 低频微调内部基准源 (REFO)
- 32 kHz 晶体 (XT1)
- 高达 25 MHz 的高频晶体(XT1)
- 硬件乘法器支持 32 位运算
- 3 通道 DMA
- 多达 12 个 5 V 容差数字推挽 I/O,驱动强度高达 20 mA(1)
- 16 位定时器 TD0,具有三个捕获/比较寄存器,支持高分辨率模式
应用
- 模拟和数字传感器系统
- LED 照明
- 数字电源
- 电机控制
- 远程控制
- 恒温器
OPA2377QDGKRQ1 低噪声 5MHz CMOS 运算放大器
产品描述
OPA2377QDGKRQ1 是一款宽带 CMOS 运算放大器,具有极低噪声、低输入偏置电流和低失调电压,同时工作在 0.76 mA(典型值)的低静态电流下。
OPA2377QDGKRQ1 运算放大器针对低电压、单电源应用进行了优化。其出色的交流和直流性能组合使其成为小型信号调节、音频和有源滤波器等各种应用的理想之选。
此外,OPA2377QDGKRQ1 还具有宽电源范围和出色的 PSRR,因此对无需调节即可直接使用电池的应用非常有吸引力。
特性
低噪声:1 kHz 时为 7.5 nV/√Hz
0.1-Hz 至 10-Hz 噪声:0.8 μVPP
静态电流:760 μA(典型值)
低失调电压:250 μV(典型值)
增益带宽积 5.5 MHz
轨至轨输入和输出
单电源工作
电源电压:2.2 V 至 5.5 V
应用
主动巡航控制
泊车辅助
胎压监测
信息娱乐系统
主动滤波
传感器信号调节
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