IGBT晶体管IKW50N65WR5，MOSFET晶体管IXTP160N10T，锂离子电池保护器和模拟前端BQ77PL900DLR

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明佳达，星际金华供应 IGBT晶体管IKW50N65WR5，MOSFET晶体管IXTP160N10T，锂离子电池保护器和模拟前端BQ77PL900DLR



IKW50N65WR5 650V 50A 单通道 IGBT 晶体管 TO-247-3

产品描述
IKW50N65WR5 是高速 650 V、50 A 反向导电 TRENCHSTOP™ 5 WR5 IGBT，采用 TO-247 封装。反向导电 TRENCHSTOP™ 5 WR5 IGBT 采用经过优化的二极管，其额定值足以满足目标应用的需要。WR5 建议用于空调中的 PFC 阶段、焊接中的 DC/DC、UPS 中的 AC/DC，以及太阳能组串逆变器中的 MPPT。WR5 IGBT 具有极高的性价比，成本敏感型客户也能获得高性能技术。

特点
专为 PFC 和焊接应用而优化的单片二极管
稳定的温度特性
极低的 VCEsat 和低 Eoff
基于 VCEsat 正温度系数的轻松并联开关能力
VCEsat 和 Esw 的温度依赖性低
1.4V 的超低 V ce(sat) @25°C
低 E tot
良好的 R g 可控性

优势
最佳性价比
非常适合 20kHz < fsw < 60kHz 的主流设计
优异的散热性能可降低散热器和冷却成本

应用
商用暖通空调
家用电器
光伏
家用空调： 智能（物联网）和高效制冷
不间断电源 (UPS)

IXTP160N10T N 沟道增强模式 100V 160A 功率 MOSFET 晶体管

产品描述
IXTP160N10T 是 N 沟道增强型 100V 160A 功率 MOSFET 晶体管。

特点
超低导通电阻
雪崩额定值
低封装电感
易于驱动和保护
175°C 工作温度
快速本征二极管

优势
易于安装
节省空间
功率密度高

应用
汽车
电机驱动器
42V 电源总线
ABS 系统
DC/DC 转换器和离线 UPS
用于 24V 和 48V 系统的主开关
分布式电源架构和 VRM
电子气门机构系统
大电流开关应用
高压同步恢复器

BQ77PL900DLR 5-10 系列锂离子电池保护器和模拟前端

产品描述
BQ77PL900DLR 是一款五至十节串联锂离子电池组保护器。集成的 I2C 通信接口使 bq77PL900 还可用作主机控制器的模拟前端 (AFE)。还包括两个 LDO，一个 5 V/25 mA，一个 3.3 V/25 mA，可用于为主控制器或支持电路供电。

特性
5、6、7、8、9 或 10 串联电池初级保护
用于充电和放电 FET 的 PMOS FET 驱动器
可使用 1 米感应电阻器工作
电源电压范围为 7 V 至 50 V
典型值为 450 µA 的低电源电流
集成式 5 V 25-mA LDO
集成式 3.3 V 25 mA LDO
独立模式
电池组保护控制和恢复
单个电池监控
集成式电池平衡
过压-欠压可编程阈值和延迟时间 放电过流 放电短路
固定过温保护
主机控制模式
主机控制器 I2C 接口
用于主机电池测量和系统充放电电流的模拟接口
主机控制保护恢复
主机控制电池平衡

应用
充电式电动工具
电动助力自行车/摩托车
不间断电源 (UPS) 系统
医疗设备
便携式测试设备