存储器：S70KL1283GABHB023，S27KS0642GABHI033，S70KL1282GABHB020

xingjijinhua

明佳达，星际金华供求 存储器：S70KL1283GABHB023，S27KS0642GABHI033，S70KL1282GABHB020



S70KL1283GABHB023 24-FBGA 伪 SRAM 存储器芯片

产品描述
S70KL1283GABHB023 xSPI（八进制）是一种兼容 SPI 的低信号计数 DDR 接口，支持八个 I/O。xSPI (Octal) 中的 DDR 协议在 DQ 输入/输出信号上每个时钟周期传输两个数据字节。

特点
单端时钟 (CK) - 11 个总线信号
可配置的突发特性
可配置的输出驱动强度
3.0 V VCC/VCCQ 时的最大时钟速率为 200 MHz
在所有事务开始时输出，以指示刷新延迟

S27KS0642GABHI033 自刷新 DRAM 24-FBGA 64Mbit HyperBus

产品描述
S27KS0642GABHI033 是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM，带有 HYPERBUS™ 接口，伪 SRAM 存储器 IC。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态单元。

特性
HYPERBUS™ 接口，1.8 V/3.0 V
部分存储器阵列（1/8、1/4、1/2 等）
64Mb HYPERRAM™ 自刷新 DRAM (PSRAM)
在读取事务期间，RWDS 被第二个时钟抵消，相位从 CK 开始偏移

128Mbit S70KL1282GABHB020 伪 SRAM 存储器 IC 24-FBGA 表面贴装

产品描述
S70KL1282GABHB020 是 128Mbit PSRAM（伪 SRAM）存储 IC，HYPERBUS™ 接口，1.8 V/3.0 V，封装为 24-FBGA (6x8)。

特性
200 MHz 最大时钟频率
技术：38 纳米 DRAM
1.8 V VCC/VCCQ 时的最大时钟频率：200 MHz
突发读取或写入（200 MHz 时的线性突发，3.0 V）： 60 mA