NOR 存储器：S25FL128SAGMFA000，S70FL01GSDPMFI010，S25HS01GTDPMHI010

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明佳达，星际金华供求NOR 存储器：S25FL128SAGMFA000，S70FL01GSDPMFI010，S25HS01GTDPMHI010

128Mbit NOR 闪存 IC S25FL128SAGMFA000 16-SOIC

产品描述
S25FL128SAGMFA000 这种多宽度接口称为 SPI Multi-I/O 或 MIO。此外，FL-S 系列还增加了对 SIO、DIO 和 QIO 的 DDR 读取命令的支持，可在时钟的两个边沿上传输地址和读取数据。

功能
擦除（0.5 至 0.65 MBps）
1024 字节的 OTP 阵列
循环耐久性：最少 100,000 次编程-擦除循环
用于配置信息的通用闪存接口 (CFI) 数据
256 或 512 字节页面编程缓冲区选项

1Gbit NOR 存储器芯片 S70FL01GSDPMFI010 集成电路芯片 16-SOIC IC 芯片

产品描述
S70FL01GSDPMFI010 是 1Gbit FLASH - NOR 存储器芯片，带串行外设接口 (SPI) 和多输入/输出。

特性
CMOS 3.0 V 内核
编程（1.5 Mbytes/秒）
512 字节页面编程缓冲区
2048 字节的一次性程序 (OTP) 阵列

1Gbit 133MHz S25HS01GTDPMHI010 16-SOIC NOR 存储器 IC

产品描述
S25HS01GTDPMHI010 SEMPER™ 四 SPI 闪存系列包括多种密度，具有 1.8V 和 3.0V 内核和 I/O 电压选项。

特征：
核心电源电压：2.7 V至3.6 V
I/O电源电压：1.65 V至3.6 V
串行外设接口（SPI），具有多输入/输出功能
SPI时钟极性和相位模式0和3
双倍数据速率（DDR）选项
扩展寻址： 32位地址
512字节的页面编程缓冲区
用于慢速时钟系统的四输入页编程(QPP)