美国拟斥资8.25亿美元建设纽约州EUV光刻旗舰研发站点
发布时间：2024-11-1 15:22
发布者：eechina
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近日，美国商务部宣布了一项重大投资计划，拟斥资8.25亿美元（约合人民币58.75亿元）支持纽约州EUV光刻旗舰研发站点的建设。 据悉，该研发站点将命名为“EUV加速器”，并选址于纽约州立大学奥尔巴尼纳米技术中心。该站点将重点推进最先进的EUV（极紫外）光刻技术及相关研发工作，预计将于2025年开始运营。在运营初期，站点将引入0.33NA EUV光刻机，并在次年引入更为先进的High NA EUV光刻机。 美国商务部在声明中表示，此次投资旨在加强美国在半导体技术研发领域的领先地位，确保国家安全和经济竞争力。通过建设“EUV加速器”研发站点，美国将能够吸引更多的产业界、学术界和政府合作伙伴，共同推动半导体技术的创新与发展。 纽约州州长对此表示热烈欢迎和支持，认为这一投资将为纽约州带来显著的经济效益和就业机会。他强调，纽约州一直致力于打造全球领先的半导体技术研发和生产基地，此次投资将进一步巩固该州的领先地位，并推动相关产业的快速发展。 |
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