镓仁半导体实现氧化镓晶体生长新技术突破
发布时间：2024-10-29 15:18
发布者：eechina
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近日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）在氧化镓晶体生长领域取得了重大技术突破，成功生长出高质量的2英寸氧化镓单晶。 据了解，镓仁半导体此次的技术突破得益于其自主研发的氧化镓专用晶体生长设备，以及创新的垂直布里奇曼法（VB）晶体生长技术。传统的氧化镓晶体生长方法往往需要使用昂贵的铱坩埚，并且面临高温分解、坩埚腐蚀导致的晶体缺陷等难题。而镓仁半导体采用的VB法则有效解决了这些问题，不仅无需使用铱坩埚，还能够在空气气氛下生长单晶，有效抑制了氧化镓的高温分解，减少了晶体缺陷，提高了晶体质量。 此外，VB法还具有温度梯度小、不需要控制晶体直径等特点，使得晶体生长过程更加稳定可控，降低了技术难度。同时，镓仁半导体的晶体生长设备还支持多种不同晶面的单晶氧化镓生产，具备从2英寸升级至4英寸单晶的能力，为未来的科研和产业化提供了广阔的空间。 镓仁半导体的这一技术突破，不仅打破了西方国家在氧化镓设备和材料领域的技术封锁，更为我国的半导体产业发展注入了新的活力。随着5G通信、人工智能、电动汽车等产业的快速发展，市场对高性能半导体材料的需求日益增加。氧化镓作为一种新兴的宽禁带半导体材料，因其优异的电学性能和热稳定性，在电力电子、射频器件等领域具有广阔的应用前景。 |
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