MOSFET 晶体管：IMZA65R027M1H，IMW65R030M1H，IMW120R090M1H

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SiC 沟槽功率晶体管 IMZA65R027M1H TO-247-4 集成电路芯片

产品描述
IMW65R030M1H 是 650V CoolSiC M1 SiC 沟槽功率器件，采用固体碳化硅技术制造。

特点
易于使用和集成
适用于具有连续硬换向的拓扑结构
坚固性和系统可靠性更高

650V 晶体管 IMW65R030M1H N 沟道 SiC 沟道功率晶体管 TO-247-3

产品描述
IMW65R030M1H 是采用固体碳化硅技术制造的 650V CoolSiC M1 SiC 沟槽功率器件。

特点
更低的 RDS（导通）和脉冲电流对温度的依赖性
雪崩能力增强
与标准驱动器兼容（推荐驱动电压：18V）

碳化硅 IMW120R090M1H N 沟道 1200V MOSFET 晶体管 TO-247-3

产品描述
IMW120R090M1H 是 CoolSiC™ 1200V SiC 沟道 MOSFET 碳化硅 MOSFET，开关损耗极低。

特点
无阈值导通特性
栅极-源极电压范围宽
基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.5V
0V 关断栅极电压，实现轻松简单的栅极驱动
完全可控的 dV/dt
坚固的体二极管，可实现硬换向