MOSFET 晶体管：IMBF170R1K0M1，IMBG120R220M1H，IMBG120R090M1H

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SiC 沟槽 MOSFET IMBF170R1K0M1 N 沟道 MOSFET 晶体管 TO-263-8 1700V

产品说明
IMBF170R1K0M1 是 CoolSiC™ 1700V SiC 沟槽 MOSFET 碳化硅 MOSFET 晶体管，可实现更高的频率。

特点
革命性的半导体材料 - 碳化硅
针对反激式拓扑结构进行了优化
12V/0V 栅源电压与大多数反激式控制器兼容
开关损耗极低
基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.5V
完全可控的 dV/dt，用于 EMI 优化

N 沟道 IMBG120R220M1H 1200V 碳化硅沟槽 TO-263-8 MOSFET 晶体管

产品描述
IMBG120R220M1H 是采用 .XT 互联技术的 N 沟道 1200V CoolSiC™ 碳化硅沟槽 MOSFET 晶体管。

特点
开关损耗极低
短路耐压时间 3 µs
基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.5V
采用 .XT 互连技术，具有同类最佳的散热性能
封装爬电和间隙距离 > 6.1mm

集成电路芯片 IMBG120R090M1H 沟槽截止 IGBT 晶体管 TO-263-8

产品描述
IMBG120R090M1H 是 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽 MOSFET，N 沟道 1200V 26A，表面贴装，封装是 TO-263-8，D²ak（7 引线 + Tab）。

特性
漏极至源极电压 (Vdss)： 1200 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C： 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs： 125mOhm @ 8.5A，18V
Vgs(th) (Max) @ Id： 5.7V @ 3.7mA