碳化硅 MOSFET 晶体管：IMW120R140M1H，IMW65R057M1H，IMZA65R039M1H

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明佳达，星际金华供求 碳化硅 MOSFET 晶体管：IMW120R140M1H，IMW65R057M1H，IMZA65R039M1H



碳化硅 MOSFET 晶体管 IMW120R140M1H N 沟道 1200V 19A 94W 通孔

产品描述
IMW120R140M1H 是 CoolSiC™ 1200 V、140 mΩ SiC MOSFET，采用 TO247-3 封装，基于最先进的沟槽半导体工艺制造，经过优化，兼具性能和可靠性。

特点
最高效率
减少冷却工作量
更高的工作频率
功率密度更高
降低系统复杂性

650V 晶体管 IMW65R057M1H N 沟道碳化硅 MOSFET TO-247-3 单 FET

产品描述
IMW65R057M1H 是 650 V 35A (Tc) 133W (Tc) N 沟道 MOSFET 晶体管，通孔式，优化了高电流下的开关行为。

特性
Vds - 漏极-源极击穿电压：650 V
Id - 漏极连续电流：35 A
Rds On - 漏极-源极电阻：74 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 5 V，+ 23 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压：5.7 V

集成电路芯片 IMZA65R039M1H 碳化硅 TO-247-4 N 沟道晶体管

产品描述
IMZA65R039M1H 是 650V CoolSiC M1 碳化硅沟槽功率器件，开尔文源可将开关损耗降低 4 倍。

特点
高性能、高可靠性和易熔性的独特组合
易于使用和集成
适用于连续硬换向的拓扑结构
高稳健性和系统可靠性
提高效率
减小系统尺寸，提高功率密度