NOR闪存存储器:S26HS01GTGABHV020,S26KS512SDPBHA020,S26HS01GTFPBHV023

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明佳达，星际金华 供求 NOR闪存存储器:S26HS01GTGABHV020,S26KS512SDPBHA020,S26HS01GTFPBHV023



集成电路芯片 S26HS01GTGABHV020 表面贴装 24-VBGA 封装内存 IC

产品描述
S26HS01GTGABHV020 的 EAC 从主机系统接收用于闪存阵列编程和擦除的事务，并执行改变非易失性存储器状态所需的所有复杂操作。

功能
256 或 512 字节的页面编程缓冲区
1024 字节的 OTP 安全硅区 (SSR)
HYPERBUS™ 接口
兼容 JEDEC 扩展 SPI (JESD251)

512Mbit 存储器 IC S26KS512SDPBHA020 NOR 闪存芯片 24-FBGA 166MHz 并行接口

产品描述
S26KS512SDPBHA020 在封装操作期间，访问从选定位置开始，并在组封装序列中按配置的位置数继续进行。

特性
待机：25 µA（典型值），无需唤醒
深度掉电：8 µA（典型值）
需要 300 µs 唤醒
读写数据选通 (RWDS)
可配置的输出驱动强度
在每个事务中选择缠绕或线性突发类型
HYPERFLASH™ 存储器仅将 RWDS 用作读数据选通

FLASH NOR 存储器 IC S26HS01GTFPBHV023 166MHz 高速 CMO 24-FBGA IC 芯片

产品描述
S26HS01GTFPBHV023 HYPERBUS™ 接口 (DDR) 通过数据 (DQ) 信号在每个时钟周期传输两个数据字节。读取或编程/写入访问包括在内部 HYPERFLASH™ 内核上进行一系列 16 位宽、一个时钟周期的数据传输，以及在 DQ 信号上进行两个相应的 8 位宽、一个半时钟周期的数据传输。

功能
HYPERBUS™ 接口，1.8V/3.0V
封装：24 球 BGA 8 x 8 毫米
主阵列的程序擦除周期最少为 2,560,000 次
45 纳米 MIRRORBIT™ 技术在每个存储器阵列单元中存储两个数据位
CRC 可检测主控制器与 SEMPER™ 闪存设备之间通信接口的错误