SiC MOSFET 功率模块：MSCSM170DUM039AG，MSCSM170DUM11T3AG，MSCSM70DUM017AG

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明佳达，星际金华供求 SiC MOSFET 功率模块：MSCSM170DUM039AG，MSCSM170DUM11T3AG，MSCSM70DUM017AG



汽车 IGBT 模块 MSCSM170DUM039AG 2N 沟道共源 MOSFET 阵列

产品描述
MSCSM170DUM039AG 是 Mosfet 阵列 1700V/523A 双共源 SiC MOSFET 功率模块，底座安装。

规格
漏极至源极电压 (Vdss)：1700V (1.7kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：523A (Tc)
Rds On（最大）@ Id，Vgs：5mOhm @ 270A，20V
Vgs(th) (Max) @ Id：3.3V @ 22.5mA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs：1602nC @ 20V
输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds：29700pF @ 1000V
功率 - 最大值：2400W (Tc)
工作温度：-40°C ~ 175°C (TJ)

双共源 MSCSM170DUM11T3AG 汽车 IGBT 模块 240A 1700V MOSFET

产品描述
MSCSM170DUM11T3AG 是 2 N 沟道（双）共源碳化硅 MOSFET 阵列模块，底座安装。

特性
Vgs(th) (Max) @ Id： 3.2V @ 10mA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs： 712nC @ 20V
输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds： 13200pF @ 1000V

汽车 IGBT 模块 MSCSM70DUM017AG 2N 沟道 SiC MOSFET 功率模块 700V

产品描述
MSCSM70DUM017AG 是一款 700V/1021A 2 N 沟道（双）共源碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块。

产品规格
最大输入电容 (Ciss) @ Vds：40500pF @ 700V
功率 - 最大值：2750W (Tc)
工作温度：-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型：机箱安装