1200V~1700V内绝缘型SiC MOSFET为高效能应用提供新选项
发布时间：2024-9-28 10:05
发布者：Eways-SiC
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TO-247-4封装的SiC MOSFET因其高速开关性能、降低的开关损耗等优势而受到市场的广泛欢迎，这种封装通过Kelvin连接减少了电源线电感对栅极驱动信号的影响，提供了设计灵活性并改善了热性能，适用于高端服务器电源、太阳能逆变器、UPS电源、电机驱动、储能和充电桩等多种应用领域，满足了市场对高效率和高功率密度解决方案的需求。目前爱仕特已量产21款TO-247-4封装的SiC MOSFET，电压覆盖650V—3300V。 爱仕特始终秉承创新理念，近期推出了1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET。这些创新产品在保持标准封装尺寸，通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能，背面散热器做了悬浮电位设计，减少了外部绝缘材料依赖，降低了材料老化导致的长期运行故障风险，增强了产品可靠性和耐用性。 
SiC MOSFET的性能特点：该产品搭载了爱仕特自研第三代SiC 芯片，具有开关速度快、抗干扰能力强和高可靠性等特点。该产品尺寸为40*15.9*5mm，与常规TO-247-4封装尺寸一致，可实现快速替换。 高开关速度 SiC 材料的高电子迁移率，提升系统响应速度和动态性能 高功率密度 搭载第三代自研SiC 芯片，实现小尺寸下的大电流承受能力 低寄生电感设计 紧凑内部布局，降低功率回路中的寄生电感高抗干扰能力具有开尔文源极引脚，能够进一步降低器件的开关损耗，提高模块的抗干扰能力高温稳定性宽温度范围下（-55°C至175°C）的稳定运行，适应各种环境条件 
安装工艺不同：简化生产流程 简化的内绝缘封装设计不仅提高了生产效率，还降低了热阻，为电力系统的高性能运行提供了新的选择。 在应用中的对比优势 降低成本 无需增加MOSFET和散热片之间的绝缘片及固定螺丝上的绝缘粒，节约了材料成本、物料管理成本和生产成本 简化生产装配 省略器件与散热器之间的绝缘垫片，简化生产流程 解决不同作用的MOSFET共用一个散热片的绝缘问题 提高可靠性 避免因绝缘材料高温或破裂而产生的可靠性问题 铜框架和SiC 芯片的热膨胀系数差异较大，内置陶瓷绝缘片可以提高功率循环的可靠性 |
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