AMEYA360:芯进电子超宽体,超高耐压,光耦兼容,单通道隔离驱动CCi8335系列芯片

发布时间:2024-9-26 13:54    发布者:AMEYA360皇华
针对1.5kV光伏逆变器应用系统,芯进电子专门研发并推出了超高耐压的光耦兼容单通道隔离驱动CCi8335系列芯片。为了适应1.5kV及以上的系统工作电压需要,CCi8335在耐压方面进行了全方位优化,采用了体宽为15mm的超宽体SOP8WW封装,同时采用了公司最新一代专利的超高耐压隔离膜技术,AC, BV, SURGE峰值都超过了24KV,VISO=8KVrms;VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk, 动态CMTI>150V/ns; 隔离耐压达到了国际领先水平。可以pin2pin替换ACNT-H3X3等隔离驱动芯片。

 产品优势与主要特性
  1、实现光兼容单通道隔离式栅极驱动器
  2、超高耐压 & 高可靠性专利隔离膜技术,远超增强型隔离标准
  VIOWM ≥ 2000VRMS
  隔离等级高达 8000VRMS
  浪涌能力高达 24kVPK
  3、共模瞬态抑制:典型值大于±150V/ns
  4、输出驱动侧 VCC的最大工作电压 33V
  5、UVLO 四档可选(A-5V, B-8V, C-10V, D-12V)
  6、具有 6A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流
  7、60ns 典型传播延迟
  8、25ns 最大脉宽失真
  9、输入级具有 24V 反向电压处理,反向击穿电压 26V
  10、多项国家发明专利,超高耐压&可靠性的隔离膜和封装技术。
  应用场景
  太阳能逆变器、储能
  变频器、直流充电桩
  UPS 和电池充电器
  隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动
  ▲ 典型应用图
  实测数据
  CCi8335系列芯片因超高压耐压需求而生,实测数据显示: AC BV和SURGE峰值都超过了24KV, VISO=8KVrms; VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk,动态CMTI>150V/ns, 达到了目前国际领先的隔离耐压水平。
  1、超高耐压、超强可靠性高可靠性,远超增强型隔离标准,国际领先
  VIOWM ≥ 2000VRMS
  隔离等级高达 8000VRMS;
  浪涌能力高达 24kV;AC BV ≥ 24kV
  在整个隔离栅具有±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
  2、优秀的CMTI性能和抗干扰能力
  动态CMTI超过150V/ns;
本文地址:https://www.eechina.com/thread-872565-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

  • Microchip视频专区
  • 深度体验Microchip自动辅助驾驶应用方案——2025巡展开启报名!
  • 更佳设计的解决方案——Microchip模拟开发生态系统
  • 利用模拟开发工具生态系统进行安全电路设计
  • 我们是Microchip
  • 贸泽电子(Mouser)专区
关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表