中微代理BAT32G135GE32FP、BAT32G135GE32NA、BAT32G135GE40NB、BAT32G135GE48FA超低功耗MCU

XML13250262776

超低功耗BAT32G135采用高性能的ARM®Cortex®-M0+的32位RISC内核，最高可工作于64兆赫兹频率，采用高速的嵌入式闪存（SRAM最大8KB，程序/数据闪存最大64KB）。本产品集成I2C、SPI、UART、LIN多种标准接口。集成12bitA/D转换器、温度传感器、比较器，可编程增益放大器。其中12bitA/D转换器可以于采集外部传感器信号，降低系统设计成本。芯片内集成的温度传感器则可实现对外部环境温度实时监控。芯片内部集成的比较器，可支持高速和低速两种工作模式，在高速模式下可支持高速运转马达的控制反馈，而在低速模式下则可用于电池监测。集成8通道16bit定时器模块，并搭载EPWM控制电路，结合定时器可实现一个直流电机或者两个步进电机的控制。BAT32G135还具有出色的低功耗性能，支持睡眠和深度睡眠两种低功耗模式，设计灵活。其运行功耗为35uA/MHz@64MHz，在深度睡眠模式下功耗仅0.45uA，适合采用电池供电的低功耗设备。同时，由于集成事件联动控制器，可实现硬件模块之间的直接连接，无需CPU的干预，比使用中断响应速度更快，同时降低了CPU的活动频率，延长了电池寿命。这些特点使得 BAT32G135 微控制器系列可广泛适用于储能电源、电池包、电机控制、安防、电力等应用领域。
BAT32G135系列包含了BAT32G135GE32FP、BAT32G135GE32NA、BAT32G135GE40NB、BAT32G135GE48FA

产品特性:
> ARM Cortex M0+内核
> 主频最高64MHz @1.8V-5.5V
> 35uA/MHz@64MHz  
> 工作电压：1.8V-5.5V
> 工作温度：-40℃ - 105℃
> 64KB Flash
> 8KB SRAM
> 1.5KB data flash
> 多达45个GPIOs
> 灵活配置的系统时钟，可自由切换
> 硬件乘法器模块
> 8个16Bit通用定时器
> 1个15Bit的间隔定时器（低功耗定时器）
> 1个WDT  
> 1个RTC
> 增强型DMA控制器
> 联动控制器
> A/D转换 - 高达35通道的高精度12Bit ADC@1.42Msps
> 2通道可编程增益增大器, 4/8/10/12/14/16/32倍增益可选
> 2通道比较器，输入源及基准电压可选
> 1个SPI标准接口，3-6个简易SPI接口
> 1个I2C标准接口，3-6个简易I2C接口
> 3个UART接口，支持LIN-Bus
> 支持超低功耗工作模式 – 睡眠模式/深度睡眠模式
> 0.45uA @深度睡眠模式
> 0.7uA @深度睡眠模式+32.768KHz+RTC
> 符合IEC/UL 60730相关标准
> 异常存储空间访问报错, 硬件CRC校验, 特殊SFR保护，防止误操作
> 128位唯一ID号
中微半导体原厂一级代理，相关需求请联系
杨生 13250262776【微信同号】、QQ 3400632246