我国首批氢离子注入性能优化芯片产品成功交付
发布时间：2024-9-11 15:27
发布者：eechina
关键词：
氢离子注入
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据国家电力投资集团有限公司（以下简称“国家电投”）宣布，其下属的国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（以下简称“核力创芯”）暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，已顺利完成首批氢离子注入性能优化芯片产品的客户交付。这一事件标志着我国在功率半导体制造领域取得了重大技术突破，填补了国内半导体产业链中的关键空白。 氢离子注入技术作为半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，对集成电路、功率半导体及第三代半导体产品的生产具有至关重要的作用。长期以来，我国在这一领域的核心技术及装备工艺一直受制于人，特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口，严重制约了我国半导体产业的高端化发展。 核力创芯此次交付的氢离子注入性能优化芯片产品，历经近万小时的严格工艺及可靠性测试验证，主要技术指标已达到国际先进水平，获得了用户的高度评价。 自2021年成立以来，核力创芯在不到三年的时间里，成功突破了多项关键技术壁垒，实现了100%的自主技术和装备国产化。公司还建成了我国首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台，为技术创新和产业升级提供了有力支撑。 此次技术突破对于提升我国半导体产业链的整体水平具有深远意义。它不仅打破了国外在氢离子注入技术上的垄断，还为我国半导体产业的高端化发展开辟了新路径。未来，随着市场对高性能芯片需求的不断增长，核力创芯所开发的技术将有望在更广泛的应用场景中发挥作用，推动我国半导体产业迈向更高水平。 国家电投表示，氢离子注入技术的成功应用，是我国半导体产业自主可控能力的重要体现。公司将继续加大研发投入，推动技术创新和产业升级，为我国半导体产业的发展贡献更多力量。 业界专家指出，核力创芯的技术突破不仅提升了我国半导体产业的国际竞争力，也为全球半导体产业的发展注入了新的活力。随着技术的不断进步和应用领域的不断拓展，我国半导体产业有望在全球市场中占据更加重要的地位。 |
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