存储器芯片：S70KL1282GABHB030，S70KS1282GABHV023，S28HS512TGABHI010

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明佳达，星际金华供求 存储器芯片：S70KL1282GABHB030，S70KS1282GABHV023，S28HS512TGABHI010



S70KL1282GABHB030 128Mbit 存储器芯片 VBGA24 IC 芯片

产品描述
S70KL1282GABHB030 128Mbit HyperBus 200MHz PSRAM（伪 SRAM）内存 IC，HYPERBUS™ 接口，1.8 V/3.0 V，24-FBGA（6x8）封装。

特性
缠绕突发长度：128 字节（64 个时钟）
在读取事务期间作为读数据选通输出
混合选项 - 64 Mb 上的一个缠绕突发和一个线性突发
写入事务期间作为写入数据掩码输入
工作温度范围 - 工业加 (V)： -40°C 至 +105°C

128Mbit 存储器芯片 S70KS1282GABHV023 集成电路芯片 24-VBGA 伪 SRAM

产品描述
S70KS1282GABHV023 是 HYPERBUS™ 接口、1.8 V/3.0 V、128 Mb HYPERRAM™ 自刷新 DRAM (PSRAM) 存储器芯片。

特性
HYPERBUS™ 接口
支持 1.8 V / 3.0 V 接口
缠绕突发长度：128 字节（64 个时钟）
可配置的输出驱动强度

闪存 NOR 存储器 IC S28HS512TGABHI010 集成电路芯片 24VBGA 存储器芯片

产品描述
S28HS512TGABHI010 是 FLASH - NOR 存储器 IC，512Mbit SPI - 八进制 I/O，200 MHz，封装为 24-FBGA (6x8)。

特性
时钟频率：200 MHz
电压 - 电源： 1.7V ~ 2V
工作温度：-40°C ~ 85°C (TA)w