IGBT模块：FF8MR12W2M1PB11BPSA1，FF11MR12W1M1PB11BPSA1，FF8MR12W2M1B11BOMA1

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明佳达，星际金华 供求 IGBT模块：FF8MR12W2M1PB11BPSA1，FF11MR12W1M1PB11BPSA1，FF8MR12W2M1B11BOMA1

IGBT 模块 FF8MR12W2M1PB11BPSA1 汽车 IGBT 模块 1200V CoolSiC MOSFET

产品描述
FF8MR12W2M1PB11BPSA1 是半桥 1200V、8m Ω CoolSiC ™ MOSFET 模块，结合了 NTC 温度传感器、压接工艺技术和预涂层热接口材料。

特点
高电流密度
降低开关和传导损耗，展现一流性能
低电感设计
符合 RoHS 规范的模块
实现最高效率并简化散热设计
更高的开关频率操作
提高功率密度
优化客户开发周期和成本

汽车 IGBT 模块 FF11MR12W1M1PB11BPSA1 11mΩ 半桥模块 1200V

产品描述
FF11MR12W1M1PB11BPSA1 是带有 CoolSiC™ MOSFET 的半桥 1200 V 模块，Mosfet 阵列 20mW，底座安装。

特点
功率密度更高
更高的工作频率
效率最高，可减少冷却工作量
优化客户的开发周期和成本

半桥 FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC MOSFET 模块 1200V 汽车 IGBT 模块

产品描述
FF8MR12W2M1B11BOMA1 是 1200 V、8 mΩ 半桥模块，采用 CoolSiC™ MOSFET、NTC 温度传感器和 PressFIT 触点技术。

特点
高电流密度
更高的工作频率
低电感设计
效率最高，可减少冷却工作量