汽车 IGBT 模块FF2MR12W3M1HB11BPSA1，FF23MR12W1M1PB11BPSA1，FF45MR12W1M1B11BOMA1

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汽车 IGBT 模块 FF2MR12W3M1HB11BPSA1 碳化硅 4N 沟道模块

产品描述
FF2MR12W3M1HB11BPSA1 是 1200 V/1.44 m Ω 半桥模块，采用 CoolSiC 技术和增强型第一代沟槽技术 ™ MOSFET、集成 NTC 温度传感器和 PressFIT 压接技术。

特点
12 毫米高，同类最佳封装
更低且一致的栅极电感
极低的模块杂散电感
非常对称的内部芯片布局
先进的宽带隙 WBG 芯片与简易模块封装相结合

IGBT 模块 FF23MR12W1M1PB11BPSA1 汽车 IGBT 模块 20mW 沟槽式 2Independent

产品描述
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 是 EasyDUAL ™ 1B 1200 V/23 m Ω 半桥模块，采用 CoolSiC ™ MOSFET、NTC 温度检测、PressFIT 压接技术和预涂层热接口材料。

功能特点
双通道 1200 V CoolSiC ™ MOSFET 模块
输入电容 (Cies) @ Vce： 3.68 nF @ 800 V
采用 CoolSiC ™ MOSFET、NTC 温度检测、PressFIT 压接技术和预涂层热接口材料。

汽车 IGBT 模块 FF45MR12W1M1B11BOMA1 双通道 1200V CoolSiC MOSFET 模块

产品描述
FF45MR12W1M1B11BOMA1 是双通道 1200V CoolSiC MOSFET 模块，采用 CoolSiC ™ MOSFET、温度检测 NTC 和 PressFIT 压接技术。

特点
高电流密度
出色的开关和导通损耗
低电感设计
模块符合 RoHS 规范