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锐骏半导体推出一款采用SOP-8封装的N沟道高级功率MOSFET RU20D12H，该器件具有坚固可靠、无铅、绿色环保并符合RoHS标准等特点，适合用于电源管理。
特点 20V/12A RDS (ON) =26mΩ(典型值)@VGS=4.5V RDS (ON) =38mΩ(典型值)@VGS=2.5V 超低漏源导通电阻 超高密度单元设计 可靠且坚固耐用 器件无铅、绿色环保（符合RoHS标准）
应用 电源管理
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发表于 2024-7-27 14:07:08