中微半导体BAT32G113KC32NA 超低功耗32位MCU 适用于光模块，传感器以及移动设备

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中微半导体代理
BAT32G113系列产品采用高性能的ARM Cortex M0+的32位RISC内核，最高可工作于64MHz，32KB Flash，4KB SRAM。本产品集成支持从机双地址的I2C、SPI、UART多种标准接口。集成12Bit ADC、12Bit DAC、温度传感器、比较器、可编程增益放大器。同时还具有出色的低功耗性能，支持睡眠和深度睡眠两种低功耗模式，设计灵活。其运行功耗为 80uA/MHz@64MHz，在深度睡眠模式下功耗仅1.5uA，可广泛适用于光模块，传感器以及移动设备等高性能低功耗应用领域。
杨先生 13250262776、QQ 3400632246


产品特性：
> ARM Cortex M0+内核  
> 主频最高64MHz @2.0V-5.5V
> 工作电压：2.0V-5.5V
> 工作温度：-40℃ - 125℃  
> 32KB Flash
> 4KB SRAM
> 多达29个GPIOs  
> 硬件乘除法器模块
> 9个16Bit通用定时器  
> 1个WDT
> 1个SysTick 定时器  
> 增强型DMA控制器  
> 联动控制器
> A/D转换 - 10个外部模拟通道的高精度12Bit ADC，1.42Msps
> D/A转换 – 12Bit精度,  支持2通道
> 内置1通道可编程增益放大器，1/2.5/4/8/10/16/32倍增益可选
> 2通道比较器，输入源及基准电压可选
> 1个I2C标准接口，支持从机双地址，2个简易I2C接口
> 1个标准SPI接口
> 2个UART接口，其中UART0个接口支持软件LIN-Bus
> 符合IEC/UL 60730相关标准
> 异常存储空间访问报错，硬件CRC校验，特殊SFR保护，防止误操作
> 128位唯一ID号
> 封装：QFN24，QFN32