8N10 惠海 100V 8A HG160N10L TO-252封装 打火机-加湿器N沟道MOS管

发布时间:2024-7-1 16:46    发布者:HHZHOUQIN
关键词: 8N10 , 惠海 , 100V , 8A , HG160N10L
MOS管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管,或者称为金属-绝缘体-半导体。MOS管的工作原理主要是利用加在栅极(G)上的电压(VGS)来控制“感应电荷”的多少,从而改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,达到控制漏极(D)电流的目的。
主营种类
1.PMOS(P型MOS管)PMOS管是指栅极(G)的材料是P型半导体,多数载流子是空穴的MOS管。
2.NMOS(N型MOS管)NMOS管是指栅极(G)的材料是N型半导体,多数载流子是电子的MOS管。
NMOS管和PMOS管的工作原理区别如下:
构造:NMOS是N型场效应管(N型沟道、P型衬底),而PMOS是P型场效应管(P型沟道、N型衬底)。
导通性:NMOS在G、S间加正向电压导通,而PMOS在G、S间加反向电压导通2。
导通电流方向:导通状态下,NMOS的电流从D流向S;PMOS的电流从S流向D2。
响应速度:NMOS的响应速度通常比PMOS快,因为在相同的电场下,NMOS中的电子速度比PMOS的空穴速度要快。
关于MOS管的几个特定特性:
雪崩特性:当MOS管关闭时,电流快速变小会导致电感产生反电动势(即电压),这个电压可能会超过MOS管的额定值(VDSS)。如果超过VDSS,尽管MOS管处于关闭状态,电流仍会流动,因此会产生高损耗并可能损坏MOS管。MOS管能承受的这种能量损失被称为雪崩特性或雪崩能力。
低栅极电荷:低栅极电荷是指在MOSFET的工作中,栅极上的电荷量相对较低的一种状态。这种状态能够提高晶体管的性能和稳定性,降低功耗和提高集成度。
快速开关:MOS管是一种常用的半导体器件,广泛应用于电子电路中。有几种常用的MOS管快速开关方法,如压控开关法、电流反馈法和电容耦合法等。这些方法通过控制MOS管的栅源电压,实现MOS管的快速开关。
MOS管主要应用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪、榨汁机、暖奶器、脱毛仪、车灯、舞台灯、灯带调光、蓝牙音箱、太阳能电源、电弧打火机、手机无线充等领域。
HG160N10L规格书首页-7.1.png 100VMOS.png


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