芯片IC [供求]：NCS21912DMR2G【运算放大器】，NCV51705MNTWG【栅极驱动器】FAN8811MNTXG

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【IC器件】NCS21912DMR2G【运算放大器】，NCV51705MNTWG【栅极驱动器】FAN8811MNTXG（供应，回收）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

NCS21912DMR2G：2MHz 带宽、低噪声、精密运算放大器
型号：NCS21912DMR2G
封装：MSOP-8
类型：运算放大器
一、描述：
NCS21912DMR2G 是一款高精度运算放大器，具有输入失调电压低、随时间和温度漂移近零的特点。该器件在 4 V 至 36 V 的宽电源范围内工作，静态电流低。轨至轨输出摆幅在 10 mV 范围内。
二、产品特征：
输入失调电压：最大 ±25 V
零漂移失调电压：最大 ±0.085 V/°C
电压噪声密度：典型值 22 nV/√Hz
统一增益带宽：典型值 2 MHz
电源电压：4 V 至 36 V
静态电流：最大 570 A
轨至轨输出

NCV51705MNTWG：单通道 6A 高速、低侧 SiC MOSFET 栅极驱动器
型号：NCV51705MNTWG
封装：QFN-24
类型：栅极驱动器
一、描述：
NCV51705MNTWG 是单通道 6A 高速、低侧 SiC MOSFET 栅极驱动器。主要用于驱动 SiC MOSFET 晶体管。为了实现尽可能低的传导损耗，该驱动器能够向 SiC MOSFET 器件提供最大允许栅极电压。
二、产品特征：
高峰值输出电流，采用分路输出级，允许独立的导通/关断调节；
扩展的正向额定电压可在导通期间实现高效的 SiC MOSFET 操作
可调板载稳压充电泵
用于快速关断的负电压驱动
内置负充电泵
用于数字振荡器电源的可接入 5 V 基准/偏压轨
可调欠压锁定

FAN8811MNTXG：高频、高压侧和低压侧栅极驱动器
型号：FAN8811MNTXG
封装：WDFN-10
类型：栅极驱动器
一、描述：
FAN8811MNTXG 是一款高压侧和低压侧栅极驱动 IC，设计用于驱动工作电压高达 80 V 的 MOSFET。驱动器 IC 的低延迟时间和匹配的 PWM 输入传播延迟进一步提高了该器件的性能。
二、产品特征：
在高端和低端驱动两个 N 沟道 MOSFET
用于高压侧栅极驱动的集成自举二极管
自举电源电压范围高达 100 V
3 A 源、6 A 灌输出电流能力
驱动 1 nF 负载，典型上升/下降时间为 6 ns/4 ns
TTL 兼容输入阈值
宽电源电压范围 7.5 V 至 16 V (绝对最大值为 18 V）
快速传播延迟时间（典型值 30 ns）
2 ns 延迟匹配（典型值）
驱动电压欠压锁定 (UVLO) 保护
工作结温范围 -40°C 至 125°C