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[供应] (APM永源微)AP30N15D 150V 30A N沟道增强型MOSFET、封装TO-252-3L

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发表于 2024-5-24 10:34:32 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: AP30N15D , 150V 30A , N沟道增强型MOS , 永源微
概述:
AP30N15D采用先进的沟槽技术,可提供出色的R-D(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压。该装置适用于电池保护或其他开关应用。



一般特性
- V-DS=150V,I-D=30A
- V-GS=10V时,R-DS(开启)<52mΩ




数据手册
AP30N15DD.png






应用领域:【不间断电源】【电池保护】【负载开关】




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