我国研制出世界首个氮化镓量子光源芯片
发布时间：2024-4-19 09:14
发布者：eechina
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来源：大半导体产业网 据天府绛溪实验室官微消息，近日，电子科技大学信息与量子实验室、天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作，在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片，这是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展，也是天府绛溪实验室在关键核心技术领域取得的又一创新成果。 据悉，研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次将氮化镓材料运用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料进行研制，与之相比，氮化镓量子光源芯片在输出波长范围等关键指标上取得突破，输出波长范围从25.6纳米增加到100纳米，并可朝着单片集成发展。 此项研究工作得到国家科技创新2030重大项目、国家自然科学基金、四川省科技计划等大力支持。近日，以“Quantum Light Generation Based on GaN Microring toward Fully On-Chip Source”为题，发表在国际著名学术期刊《物理评论快报》上，并被选为“物理亮点”进行重点宣传报道。 据了解，天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心聚力攻关量子互联网领域关键核心技术。当前，中心正在加快布局城域量子互联网、量子人工智能、量子信息器件等产业方向，大力推动量子赋能新质生产力在政务、金融、医疗、健康等领域的应用落地，坚定厚植量子科技的前沿研究和创新应用。 |
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