器件：DHS50B05-T，STSPIN32F0ATR，IRL80HS120，IRL40SC209【供应，回收】

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深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件！
元器件：DHS50B05-T，STSPIN32F0ATR，IRL80HS120，IRL40SC209（供求）
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DHS50B05-T：5V 10A 隔离模块 直流转换器 1 输出
型号：DHS50B05-T
封装：DIP-6
类型：直流转换器
DHS50B05-T 是隔离模块式 DC DC 转换器，1 路输出 5V 10A 200V - 400V 输入。
产品属性：
类型：隔离模块
输出数：1
电压 - 输入（最小值）：200V
电压 - 输入（最大值）：400V
电压 - 输出 1：5V
电流 - 输出（最大值）：10A
功率 (W)：50 W
工作温度：-40°C ~ 100°C（有降额）
效率：80%
安装类型：通孔
封装/外壳：6-DIP 模块

STSPIN32F0ATR：采用三相桥式配置的功率驱动器
型号：STSPIN32F0ATR
封装：VFQFN-48
类型：BLDC 控制器
STSPIN32F0ATR 产品属性：
应用：BLDC 控制器
核心处理器：ARM® Cortex®-M0
程序存储器类型：闪存（32kB）
RAM 大小：4K x 8
接口：I2C，SPI，UART/USART
I/O 数：16
电压 - 供电：6.7V ~ 45V
工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：48-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：48-VFQFPN（7x7）

IRL80HS120：80V MOSFET 晶体管
型号：IRL80HS120
封装：6-PQFN
类型：MOSFET 晶体管
IRL80HS120 是适用于低 VGS 的新型逻辑级 MOSFET 晶体管。它非常适合无线充电、电信和适配器应用。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：32 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：540 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：11.5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：6-PQFN（2x2）
封装/外壳：6-PowerVDFN

IRL40SC209：40V 478A 功率 MOSFET 晶体管
型号：IRL40SC209
封装：TO-263-7
类型：MOSFET 晶体管
IRL40SC209 是 D2PAK 7 引脚的 40V 逻辑电平 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 晶体管。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：478A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.8 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：267 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：15270 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：375W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：D2PAK-7
封装/外壳：TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB

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