具有极低导通电阻RDS(on) ISC025N08NM5LFATMA1、ISC035N10NM5LFATMA1、ISC015N06NM5LFATMA1 N-通道功率MOSFET
发布时间：2024-1-8 16:16
发布者：Mindy—mjd
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OptiMOS™ 5线性FET产品详情： OptiMOS™ 5线性FET具有非常低的导通电阻和60V、80V或100V VDS。该产品组合包括1.55mΩ、2.55mΩ、3.5mΩ或11.3mΩ低导通电阻RDS(on)。这些器件采用TDSON-8FL或S3O8封装，工作温度范围为-55°C至175°C。 产品特点： 极低导通电阻RDS(on) 宽安全工作区 (SOA) N沟道，正常电平 100%经雪崩测试 无铅电镀，符合RoHS指令 无卤素，符合IEC61249-2-21标准 应用： • 热插拔 • 电池保护 • 电子保险丝 产品属性： 1、ISC025N08NM5LFATMA1 N 通道 80V、2.55 毫欧、表面贴装 TDSON-8 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Ta）， 198A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.55 毫欧 @ 50A， 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 115μA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：96 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6800 pF @ 40 V FET 功能：- 功率耗散（最大值）：3W（Ta）， 217W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 供应商器件封装：PG-TDSON-8 FL 封装/外壳：8-PowerTDFN 2、ISC035N10NM5LFATMA1 100V、3.5毫欧、表面贴装 TDSON-8 N-通道功率MOSFET FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Ta）， 164A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.5 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 115μA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：88 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7200 pF @ 50 V FET 功能：- 功率耗散（最大值）：3W（Ta）， 217W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 供应商器件封装：PG-TDSON-8 FL 封装/外壳：8-PowerTDFN 3、ISC015N06NM5LFATMA1 N-通道功率MOSFET 60V、1.55 毫欧 TDSON-8 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Ta）， 275A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.55 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.45V @ 120μA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：113 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9000 pF @ 30 V FET 功能：- 功率耗散（最大值）：3W（Ta）， 217W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 供应商器件封装：PG-TDSON-8 FL 封装/外壳：8-PowerTDFN 明佳达电子、星际金华（供求）具有极低导通电阻RDS(on) ISC025N08NM5LFATMA1、ISC035N10NM5LFATMA1、ISC015N06NM5LFATMA1 N-通道功率MOSFET ，如有兴趣请联系陈先生qq 1668527835 详谈。 
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