碳化硅MOS晶圆6寸主流，多家厂商在进击8英寸工艺

发布时间：2024-1-3 14:32 发布者：Eways-SiC

6 寸碳化硅 mosfet 晶圆，是一种以碳化硅为材料制成的场效应晶体管。

碳化硅MOS特性-SiC MOS晶圆裸die规格简介.pdf (4.1 MB) 碳化硅MOS晶圆裸die规格简介。

碳化硅MOS晶圆

mosfet 晶圆相比，6 寸碳化硅 mosfet 晶圆具有更高的耐压、更大的电流密度和更高的工作频率等优点，因此逐渐成为电力电子领域的研究热点。

6 寸碳化硅 mosfet 晶圆的主要特点如下：

1.高耐压：碳化硅具有较高的击穿电场，因此 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆具有较高的耐压能力，适用于高电压应用场景。

2.大电流密度：碳化硅具有较大的电子迁移率，使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆具有较大的电流密度，能够承受更大的电流。

3. 高工作频率：碳化硅具有较低的载流子迁移率，使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆具有较高的工作频率，适用于高频率应用场景。

4.良好的热稳定性：碳化硅具有较高的热导率，使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圆在高温环境下仍具有较好的性能表现。
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