三菱电机将与安世携手开发SiC功率半导体
发布时间:2023-11-28 08:59
发布者:eechina
来源:全球半导体观察 11月,日本三菱电机、安世半导体(Nexperia)宣布,将联合开发高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立产品功率半导体。双方将联手开发,将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度,同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。 目前芯片供应量尚未确认,预计最早将于2023年内开始供应。 公开消息显示,安世半导体总部位于荷兰,目前是中国闻泰科技的子公司。11月初,安世半导体被迫转手出售其于2021年收购的英国NWF晶圆厂。 尽管同属功率半导体公司,三菱电机与安世半导体的侧重点不同,前者以“多个离散元件组合起来”的功率半导体为中心,提供的高性能SiC模块产品性能可靠,在业界享有盛誉;而安世半导体在元器件开发、生产和认证方面拥有数十年的丰富经验,现在同时提供高质量的宽禁带器件。 安世半导体双极性分立器件业务部资深副总裁兼总经理Mark Roeloffzen表示:“与三菱电机建立共赢的战略合作伙伴关系,标志着Nexperia在碳化硅技术领域取得了重大进展。与Nexperia的分立产品和封装技术的高质量标准和专业知识相辅相成,必将在两家公司之间产生积极的协同效应,最终帮助客户在其服务的工业、汽车以及消费市场提供高能效产品。” 三菱电机半导体与器件部执行官兼集团总裁Masayoshi Takemi博士表示:“Nexperia是业界领军企业,在高品质分立半导体领域拥有成熟的技术。我们很高兴与其达成联手开发合作协议,从而充分利用两家公司的半导体技术。” |
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