SI2333CDS-T1-GE3-VB一款SOT23封装P沟道MOS管应用领域讲解

VBsemi

SI2333CDS-T1-GE3 参数：P沟道, -20V, -4A, RDS(ON) 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V), -0.81Vth(V), SOT23
应用简介：SI2333CDS-T1-GE3是一款适用于低电压、高电流的P沟道MOSFET。
其低导通电阻和小封装适合高效能、小型化的电路。
常用于电池供电设备、小型电子设备等。
优势：低导通电阻：有助于高效能电流开关控制。
适用于低电压：适用于低电压操作，如电池供电设备。
适用模块：SI2333CDS-T1-GE3适用于需要低电压、高电流开关控制的模块，如电池供电的小型设备、移动设备等。