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SI2309CDS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
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VBsemi
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发表于 2023-11-23 17:39:19
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白皮书下载:测量系统构建完整指南
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关键词:
SI2309CDS-T1-GE3
,
MOS管
,
MOS
,
mosfet
,
vbsemi
SI2309CDS-T1-GE3 (VB2658)参数说明:P沟道,-60V,-5.2A,导通
电阻
40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值
电压
-2V,封装:SOT23。
应用简介:SI2309CDS-T1-GE3适用于低功率开关和
电流
控制等领域。
其低导通电阻和小封装使其在紧凑场景中表现出色。
适用领域与模块:适用于低功率开关、电流控制和模拟开关等领域模块,特别适合紧凑型应用的场景。
SI2309CDS-T1-GE3.pdf
2023-11-23 17:37 上传
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