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SI2309CDS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

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发表于 2023-11-23 17:39:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: SI2309CDS-T1-GE3 , MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi
SI2309CDS-T1-GE3 (VB2658)参数说明:P沟道,-60V,-5.2A,导通电阻40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压-2V,封装:SOT23。
应用简介:SI2309CDS-T1-GE3适用于低功率开关和电流控制等领域。
其低导通电阻和小封装使其在紧凑场景中表现出色。
适用领域与模块:适用于低功率开关、电流控制和模拟开关等领域模块,特别适合紧凑型应用的场景。


VB2658.png

SI2309CDS-T1-GE3.pdf

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