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SI2309CDS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

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VBsemi

发表于 2023-11-23 17:39:19 | 显示全部楼层 |阅读模式

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关键词： SI2309CDS-T1-GE3 , MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi

SI2309CDS-T1-GE3 (VB2658)参数说明：P沟道，-60V，-5.2A，导通电阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-2V，封装：SOT23。
应用简介：SI2309CDS-T1-GE3适用于低功率开关和电流控制等领域。
其低导通电阻和小封装使其在紧凑场景中表现出色。
适用领域与模块：适用于低功率开关、电流控制和模拟开关等领域模块，特别适合紧凑型应用的场景。

SI2309CDS-T1-GE3.pdf

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