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SI2301DS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

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发表于 2023-11-21 17:58:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: SI2301DS-T1-GE , MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi
SI2301DS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-20V;最大电流:-4A;导通电阻:57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V;门源电压范围:12Vgs (±V)阈值电压:-0.81V;封装:SOT23
应用简介:SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET,适用于需要控制电流的应用。
其低导通电阻使其在电流控制电路中表现出色。
常用于电源开关、电荷控制、功率放大等。
优势:低导通电阻:减少功耗,提高效率。
可靠性:VBsemi作为知名半导体品牌,产品经过严格的质量控制,具有高的可靠性。
适用封装:SOT23封装适合空间有限的设计。
适用模块:SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 适用于需要电流控制的模块,如电源开关模块、电荷控制模块等。


VB2290.png

SI2301DS-T1-GE3.pdf

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