SI2301DS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

VBsemi

SI2301DS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；门源电压范围：12Vgs (±V)阈值电压：-0.81V；封装：SOT23
应用简介：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。
其低导通电阻使其在电流控制电路中表现出色。
常用于电源开关、电荷控制、功率放大等。
优势：低导通电阻：减少功耗，提高效率。
可靠性：VBsemi作为知名半导体品牌，产品经过严格的质量控制，具有高的可靠性。
适用封装：SOT23封装适合空间有限的设计。
适用模块：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 适用于需要电流控制的模块，如电源开关模块、电荷控制模块等。