存储器大厂积极布局，DDR5与HBM受青睐
发布时间：2023-11-21 08:28
发布者：eechina
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来源：全球半导体观察 今年以来，ChatGPT持续推动生成式AI需求上涨，加上PC与服务器领域平台不断推陈出新，HBM与DDR5等高附加值DRAM芯片备受市场青睐，存储器大厂不约而同积极布局上述产品。 DDR5：美光发布新品、三星计划扩大产线 当前DDR5制程已经来到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技术的DDR5内存，速率高达 7200 MT/s，现已面向数据中心及 PC 市场的所有客户出货。此外，该款DDR5内存采用先进的High-K CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术，相比上一代产品，性能提升高达50%，每瓦性能提升33%。 近期，美光又带来了采用32Gb芯片的128GB DDR5 RDIMM 内存，该系列内存具有高达 8000 MT/s 的速度，适用于服务器和工作站平台。该款芯片同样采用美光的1β 技术，能源效率提高达24%，延迟降低高达16%。此外，美光计划2024年开始推出速度为4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 型号，未来将推出 8000 MT/s 的型号。 另一家存储大厂三星则致力于提升DDR5产能。此前媒体报道三星计划扩产高附加值DRAM，将继续投资先进DRAM芯片的基础设施建设，并扩大研发支出，以巩固其长期市场领导地位。 最新消息报道，业内人士透露，三星内部正在考虑扩大DDR5生产线。鉴于DDR5的高价值及其在PC和服务器市场的采用，今年基本上被视为“DDR5的大规模采用年”。 HBM：扩产潮开启、营收有望显著成长 AI大势之下，HBM热度有增无减，供不应求态势持续。为持续满足供应，存储大厂积极扩产。 近期，媒体报道三星电子等厂商正计划将HBM产量提高至2.5倍。此外，11月初，媒体还报道三星为了扩大HBM产能，已收购三星显示（Samsung Display）韩国天安厂区内部分建筑及设备，用于HBM生产。据悉，三星计划在天安厂建立一条新封装线，用于大规模生产HBM，该公司已花费105亿韩元购买上述建筑和设备等，预计追加投资7000亿-1万亿韩元。 美光方面，11月6日该公司宣布台湾地区台中四厂正式启用。美光表示，台中四厂将整合先进探测与封装测试功能，量产HBM3E及其他产品，从而满足人工智能、数据中心、边缘计算及云端等各类应用日益增长的需求。 全球市场研究机构TrendForce集邦咨询研究显示，HBM是高端AI芯片上搭载的存储器，主要由三大供应商三星、SK海力士与美光供应。随着AI热潮带动AI芯片需求，对HBM需求量在2023年与2024年也随之提升，促使原厂也纷纷加大HBM产能。展望2024年，HBM供给情况有望大幅改善。而以规格而言，伴随AI芯片需要更高的效能，HBM主流也将在2024年移转至HBM3与HBM3e。整体而言，在需求位元提高以及HBM3与HBM3e平均销售价格高于前代产品的情形下，2024年HBM营收可望有显著的成长。 |
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