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[供应] 电子器件:ADE9000ACPZ,SPC563M64L5COAY(规格信息)IMBF170R450M1,ISO6742DWR

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发表于 2023-11-20 10:19:31 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: ADE9000ACPZ , SPC563M64L5COAY , IMBF170R450M1 , ISO6742DWR
深圳市明佳达电子(星际金华)供应及回收原装库存器件!
元器件:ADE9000ACPZ,SPC563M64L5COAY,IMBF170R450M1,ISO6742DWR [供应,求购]
【供应】只做原装,库存器件,价格方面由于浮动不一,请以当天询问为准!
【回收】只需原装器件,须有原厂外包装标签,有库存的朋友,欢迎随时联络我们!


ADE9000ACPZ:模拟前端(AFE)7通道 AFE 钻头 40-LFCSP-WQ(6x6)
通道数:7
电压 - 供电,模拟:3.3V
电压 - 供电,数字:3.3V
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:40-WFQFN 裸露焊盘,CSP
供应商器件封装:40-LFCSP-WQ(6x6)


SPC563M64L5COAY:微控制器IC 32位单核 80MHz 144-LQFP(20x20)
核心处理器:e200z3
内核规格:32 位单核
速度:80MHz
I/O 数:80
程序存储容量:1.5MB(1.5M x 8)
程序存储器类型:闪存
RAM 大小:94K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.14V ~ 1.32V
数据转换器:A/D 32x12b
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:144-LQFP(20x20)


IMBF170R450M1:表面贴装型 N通道晶体管 1700V TO-263-8
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):12V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):450毫欧 @ 2A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.7V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):11 nC @ 12 V
Vgs(最大值):+20V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):610 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值):107W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TO263-7-13
封装/外壳:TO-263-8,D2Pak(7 引线+接片),TO-263CA


ISO6742DWR:数字隔离器 5000Vrms 4 通道 50Mbps 100kV/μs CMTI 16-SOIC
技术:容性耦合
类型:CAN,RS232,RS485,SPI
隔离式电源:无
通道数:4
输入 - 侧 1/侧 2:2/2
通道类型:单向
电压 - 隔离:5000Vrms
共模瞬变抗扰度(最小值):100kV/μs
数据速率:50Mbps
传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):18ns,18ns
脉宽失真(最大):7ns
上升/下降时间(典型值):2.6ns,2.6ns
电压 - 供电:2.25V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC


明佳达电子(星际金华)供求原装库存器件 ADE9000ACPZ,SPC563M64L5COAY,IMBF170R450M1,ISO6742DWR,有兴趣的朋友,欢迎随时联络我们!

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