晶体管：IRL80HS120，IRL40SC209，BSC155N06ND，BSC012N06NS（供求）

Mingjiada

IRL80HS120：N通道晶体管 80V，表面贴装型
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：32 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 10μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：540 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：11.5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：6-PQFN（2x2）（DFN2020）
封装/外壳：6-PowerVDFN


IRL40SC209：N通道晶体管 40V，表面贴装型
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：478A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.8 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：267 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：15270 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：375W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：D2PAK（7-Lead）
封装/外壳：TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB


深圳市明佳达电子，星际金华（供求）原装库存器件！
（供应，求购）元器件：IRL80HS120，IRL40SC209，BSC155N06ND，BSC012N06NS。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【求购】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！


BSC155N06ND：晶体管，MOSFET - 阵列 60V 20A（Tc） 50W（Tc） 表面贴装型
技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：2 N-通道（双）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15.5 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 20μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：29nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2250pF @ 30V
功率 - 最大值：50W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8-4


BSC012N06NS：N通道晶体管 60V 表面贴装型
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Ta），306A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 147μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：143 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11000 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）：214W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TSON-8-3
封装/外壳：8-PowerTDFN


深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件 IRL80HS120，IRL40SC209，BSC155N06ND，BSC012N06NS 晶体管，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！