元器件：STM32L443CCU6，STM32L083RZT6_规格参数_UCC27282QDDARQ1，TPS3899DL01DSERQ1

Mingjiada

STM32L443CCU6：微控制器IC 32位单核 80MHz 48-UFQFPN（7x7）
核心处理器：ARM® Cortex®-M4
内核规格：32 位单核
速度：80MHz
I/O 数：38
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：闪存
RAM 大小：64K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.71V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 10x12b；D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：48-UFQFN（7x7）


STM32L083RZT6：微控制器IC 32位单核 32MHz 64-LQFP（10x10）
核心处理器：ARM® Cortex®-M0+
内核规格：32 位单核
速度：32MHz
I/O 数：51
程序存储容量：192KB（192K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：6K x 8
RAM 大小：20K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.8V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 16x12b；D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：64-LQFP（10x10）


UCC27282QDDARQ1：半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：5.5V ~ 16V
逻辑电压 - VIL，VIH：1.3V，1.9V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：2.5A，3.5A
输入类型：非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）：120 V
上升/下降时间（典型值）：12ns，10ns
工作温度：-40°C ~ 125°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC


TPS3899DL01DSERQ1：监控器 开路漏极或开路集电极 1 通道 6-WSON（1.5x1.5）
类型：稳压器/监控器
受监控电压数：1
电压 - 阈值：可调节/可选择
输出：开路漏极或开路集电极
复位：低有效
复位超时：标准为 40μs
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：6-WFDFN
供应商器件封装：6-WSON（1.5x1.5）


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元器件：STM32L443CCU6，STM32L083RZT6，UCC27282QDDARQ1，TPS3899DL01DSERQ1（供应，求购）
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