东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装

发布时间：2023-8-31 20:14 发布者：eechina

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。

新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。

使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计已在东芝官网发布。

东芝将继续扩大自身产品线，进一步契合市场趋势，并助力用户提高设备效率，扩大功率容量。

使用新型SiC MOSFET的3相逆变器

使用SiC MOSFET的3相逆变器

简易方框图

 应用：
- 开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
- 电动汽车充电站
- 光伏变频器
- 不间断电源（UPS）

 特性：
- 4引脚TO-247-4L(X)封装：
栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，可降低开关损耗
- 第3代碳化硅MOSFET
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷
- 低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）

 主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）

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漏

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