意法半导体宣布量产氮化镓器件PowerGaN
发布时间：2023-8-3 10:00
发布者：eechina
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来源：全球半导体观察整理 8月3日，意法半导体官微宣布，公司最近已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT（高电子迁移率晶体管）器件。 据介绍，STPOWER™ GaN晶体管是基于氮化镓(GaN)的高效晶体管，提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。 该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。据悉，SGT120R65AL和SGT65R65AL现已上市，采用PowerFLAT 5x6 HV封装。 意法半导体的G-HEMT器件将加速功率转换系统向GaN宽带隙技术过渡。意法半导体表示，未来，GaN还有望实现新的功率转换拓扑结构，进一步提高能效，并降低功耗。 此外，接下来几个月内，意法半导体还将推出新款PowerGaN产品，即车规器件，以及更多的功率封装形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。 |
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