STM32H755XIH6/STM32H755IIT6单片机，IIS2MDCTR/ISM303DACTR三轴磁阻传感器

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明佳达，星际金华供求 STM32H755XIH6/STM32H755IIT6单片机，IIS2MDCTR/ISM303DACTR三轴磁阻传感器


STM32H755XIH6/STM32H755IIT6 ARM Cortex 单片机 IC

产品说明
STM32H755XIH6/STM32H755IIT6基于高性能的 Arm Cortex-M7和 Cortex-M432位 RISC 核心。Cortex-M7核心工作频率高达480MHz，Cortex-M4核心工作频率高达240MHz。两个核心都具有一个浮点单元，支持 Arm 单精度和双精度操作和转换，包括一套完整的 DSP 指令和一个内存保护单元，以增强应用程序的安全性。
STM32H755XIH6/STM32H755IIT6采用了高速嵌入式存储器，具有2MB 的双银行闪存，高达1MB 的 RAM，以及广泛的增强型 I/O 和外围设备，连接到 APB 总线、 AHB 总线、2x32位多 AHB 总线矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层 AXI 互连。
STM32H755XIH6/STM32H755IIT6提供三个 ADC、两个 DAC、两个超低功耗比较器、一个低功耗 RTC、一个高分辨率定时器、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的 PWM 定时器、五个低功耗定时器、一个真正的随机数发生器(RNG)和一个加密加速单元。该设备支持四个数字滤波器的外部 sigma-delta 调制器。它们还具有标准和先进的通信接口。

应用
电机驱动及应用控制
医疗设备
工业应用: PLC，变频器，断路器
打印机，扫描仪
警报系统，视频对讲机，暖通空调
家用音响设备
移动应用，物联网
可穿戴设备: 智能手表

IIS2MDCTR 高精度超低功耗三轴数字输出磁阻传感器

产品说明
IIS2MDCTR 是一种高精度、超低功耗的三轴数字磁传感器。IIS2MDCTR 的磁场动态范围可达 ± 50高斯。IIS2MDCTR 包括支持标准，快速模式，快速模式 + 和高速(100kHz，400kHz，1MHz 和3.4 MHz)的 I2C 串行总线接口和 SPI 串行标准接口。该设备可以配置为产生用于磁场检测的中断信号。IIS2MDCTR 采用塑料陆地网格阵列封装(LGA) ，可确保在 -40 °C 至 + 85 °C 的延伸温度范围内运行。

特征
3个磁场通道
高斯磁动态范围 ± 50
16位数据输出
SPI/I2C 串行接口
模拟电源电压1.71 V 至3.6 V
可选择的电源模式/分辨率
单一测量模式高达150赫兹
对硬铁补偿的支持
可编程中断发生器
嵌入式自测试
嵌入式温度传感器

应用
智能仪表的防篡改
位置和距离传感器
惯性导航系统指南针
存在检测，磁力开关
可变磁场监测

ISM303DACTR 多功能加速度计和磁强计传感器

产品说明
该 ISM303DACTR 是一个高性能，低功耗系统在封装具有三维数字直线加速度传感器和三维数字磁传感器。
ISM303DACTR 具有用户可选择的线性加速度全尺度 ± 2g/± 4g/± 8g/16g，能够测量从1Hz 到6400Hz 的输出数据率的加速度。该器件具有高达 ± 50高斯的磁场动态范围，输出数据速率从10赫兹到150赫兹。ISM303DACTR 包括支持标准、快速模式、快速模式 + 和高速(100kHz、400kHz、1MHz 和3.4 MHz)的 I2C 串行总线接口和 SPI 串行标准接口。
ISM303DACTR 具有集成的256级先进先出(FIFO)加速度计数据缓冲区，可用于限制主机处理器的干预。
ISM303DACTR 采用塑料陆地网格阵列封装(LGA) ，可确保在 -40 ° C 至 + 85 ° C 的延伸温度范围内运行。

特征
3个磁场通道和3个加速通道
高斯磁动态范围 ± 50
± 2/± 4/± 8/16g 可选加速度满分
高分辨率、高频率和低功耗模式之间的动态切换
16位数据输出
SPI/I2C 串行接口
模拟电源电压1.71 V 至1.98 V
可编程中断发生器，用于自由落体，运动和磁场检测
加速度计和磁强计的嵌入式自检
嵌入式256级 FIFO
嵌入式温度传感器

应用
智能仪表中的双模式防篡改
天线指向
运动跟踪
机器人和电器
定位和导航系统
位置和距离传感器