数据记录应用STT-MRAM芯片S3R1016

发布时间:2023-6-25 17:31    发布者:英尚微电子
关键词: STT-MRAM , MRAM
Netsol代理英尚微提供的S3R1016是容量为1Mbit的自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)。数据始终是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,有助于简化系统设计。是一个具有并行异步接口的完全随机存取存储器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允许通过数据字节控制(LB、UB)访问低位和高位字节。支持异步页面模式功能,以提高读写性能。x16 I/O模式和x8I/O模式的页面大小分别为4个字和8个字。
在数据记录应用中,数据记录是如下持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。可以记录系统内外部发生的事件;使用历史;环境参数 ;机器状态;用于分析目的的其他数据。因需要持续、反复地保存数据,内存需要快速的写入速度与高耐久性。
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