东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
发布时间：2023-6-13 19:11
发布者：eechina
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。
通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%，漏源导通电阻×栅漏电荷（MOSFET性能的品质因数）降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低，并最终实现了开关电源效率的提高。 该新产品采用TOLL封装，栅极驱动采用开尔文连接。可以通过降低封装中源极线电感的影响，增强MOSFET的高速开关性能，从而抑制开关过程中的振荡。 未来，东芝将继续扩展600V DTMOSVI系列产品线，以及已发布的650V DTMOSVI系列产品，并通过降低开关电源的功率损耗来达到节约节能的目的。 
图1：漏极-源极导通电阻与栅漏电荷比较 应用 - 数据中心（服务器开关电源等） - 光伏发电机功率调节器 - 不间断电源系统 特性 - 低漏源导通电阻×栅漏电荷，有助于提高开关电源的效率 主要规格 （除非另有说明，Ta＝25℃）
[1] 截至2023年6月 如需了解有关该新产品的更多信息，请访问以下网址： TK055U60Z1 https://toshiba-semicon-storage. ... ail.TK055U60Z1.html 如需了解东芝MOSFET产品的更多信息，请访问以下网址： MOSFET https://toshiba-semicon-storage. ... roduct/mosfets.html 如需了解有关该新产品在线分销商网站的供货情况，请访问以下网址： TK055U60Z1 https://toshiba-semicon-storage. ... eck.TK055U60Z1.html | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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