（供求）MT25QU512ABB1EW9-0SIT、MT25QU512ABB8E12-0SIT串行NOR闪存 512Mbit

Mindy—mjd

深圳市明佳达电子有限公司（供求）MT25QU512ABB1EW9-0SIT、MT25QU512ABB8E12-0SIT串行NOR闪存 512Mbit ，如有需求，欢迎联系陈先生qq 1668527835 咨询洽谈。




器件说明：
MT25QU512ABB 512Mbit 串行NOR闪存可满足消费电子、工业、有线通信以及计算应用的需求。这些器件采用行业标准封装、引脚分配、命令集和芯片组兼容性，易于为各类设计所采用。这样可节省宝贵的开发时间，同时确保与现有和未来设计的兼容性。

Micron串行NOR闪存具有低引脚数，简单易用，是适用于编码阴影应用的简单解决方案；只需在存储器中提供一个起始地址用于读取，然后即可在整个存储器阵列中连续地从器件输出数据。高级安全和内存保护等特性可让您高枕无忧，确保重要程序代码和敏感用户数据的安全。Micron的串行NOR闪存解决方案可满足您的任何应用需求。该款双四路串行NOR闪存在单一封装中集成有两个四路I/O器件，以打造8位双向I/O结构。Micron双四路串行NOR的工作频率为166MHz，将上一代串行NOR的最高带宽速率提高了一倍（从83MB/s到166MB/s）。



MT25QU512ABB1EW9-0SIT 规格：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：512Mbit
存储器组织：64M x 8
存储器接口：SPI
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：8ms, 2.8ms
电压 - 供电：1.7V ~ 2V
工作温度：-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-WDFN 裸焊盘
供应商器件封装：8-WPDFN (8x6) (MLP8)




MT25QU512ABB8E12-0SIT 规格：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：512Mbit
存储器组织：64M x 8
存储器接口：SPI
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：8ms, 2.8ms
电压 - 供电：1.7V ~ 2V
工作温度：-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-TBGA
供应商器件封装：24-T-PBGA (6x8)




特性：
• 较低密度、低引脚数（串行）
• 简单易用
• 可靠的代码和数据存储
• 快速读取和随机访问时间
• 较高的耐用性和数据保持力


注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！