无源晶振与有源晶振的负载说明

电子元器件

　　首先，晶振分无源晶振和有源晶振。
　　对于无源晶振，也叫晶体。无源晶振需要有外加的电路才能起振，所需负载一般和使用环境有关（如电路设计，芯片方案等），常见负载CL范围为7pF~20pF。负载电容影响晶振工作频率。负载电容的选择要根据晶振规格和电路来确定。比如，同是24MHz无源晶振,其负载电容值就有多种选择,如9pF、12pF、20pF等。小负载晶振常出现在低功耗应用中。晶振负载电容值是在其生产加工过程中确定,为固定值，后期无法进行改变。
　　在无源晶振实际使用中，一定要搞清楚CL为规格书中晶振的负载电容值,Cd和Cg为电路中外接的电容值(一般由两颗电容通过串并联关系得到),Cs为电路的分布电容(杂散电容),这和电路设计,电子元器件分布等因素有关,一般为3~5pF。一般情况下，我们需要根据电容匹配公式(CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs)推算出应该使用的外接电容值,而且该电容值可以使无源晶振工作在其标称频率附近。
　　对于有源晶振，也叫晶体振荡器，是指其内部集成有振荡电路，加上电源后就可以产生波形的晶振，大部分默认输出负载Output Load=15pF。当负载过大时，波形可能会变形。因此对于大负载芯片，可选择订做输出负载Output Load=30pF或Output Load=50pF的有源晶振。