中国电科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通过技术鉴定

发布时间：2023-5-24 10:02 发布者：eechina

来源：中国电科

近日，中国电科55所牵头研发的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技术及应用”成功通过技术鉴定。鉴定委员会认为，该项目技术难度大，创新性显著，总体技术达到国际先进水平。

该项目聚焦新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域对高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主创新的迫切需求，突破多项关键工艺技术，贯通碳化硅衬底、外延、芯片、模块全产业链量产平台，国内率先研制出750V/150A和6500V/25A的大电流碳化硅MOSFET器件，实现新能源汽车、光伏、智能电网等领域碳化硅MOSFET批量供货，有力保障碳化硅功率器件供应链安全，支撑产业链向高端跃升。

下一步，国基南方、55所将面向国家重大战略需求，聚焦汽车芯片等领域，继续完善产品谱系、拓展产品类型，全力提升碳化硅产能，进一步推进新能源汽车用碳化硅MOSFET芯片和功率模块关键核心技术攻关及产业化应用。