恩智浦与台积电合作推出业内首款16nm FinFET车用嵌入式MRAM

发布时间:2023-5-17 09:44    发布者:eechina
关键词: 恩智浦 , 台积电 , FinFET , MRAM
来源:大半导体产业网

据报道,日前,恩智浦半导体与台积电宣布合作,并推出业界首款采用16nm鳍式场效电晶体(FinFET)技术的车用嵌入式磁阻式随机存取存储器(Magnetic Random Access Memory;MRAM)。

恩智浦介绍称,MRAM仅需约3秒就能更新20MB的代码,能最大限度缩短软件更新导致的停机时间,并让汽车制造商消除因长时间模组编程而造成的瓶颈。此外,MRAM还能提供高达百万次的更新周期,较NAND Flash和其他新兴存储器技术高出10倍,为车辆任务剖面(mission profile)提供高度可靠的技术。

台积电16 FinFET嵌入式MRAM技术凭借其百万周期耐用度、支援焊锡回焊、以及摄氏150度下还能保留数据达20年,超越车载应用严格要求。

恩智浦半导体执行副总裁暨车用处理事业部总经理Henri Ardevol表示:恩智浦与台积电已合作数十年,MRAM是恩智浦S32车用解決方案系列的突破性新生力军,支援下一代车辆架构。
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