碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。

发布时间：2023-5-9 14:19 发布者：Eways-SiC

SiCMOS管国产实现电压650V-1200V-1700V-3300V-6500V，电流5A-150A 。

碳化硅MOS耐压650V-1200V-1700V-3300V 国产.pdf (9.39 MB) 通过IATF16949、ISO9001等质量体系和第三方AEC-Q101产品可靠性认证。碳化硅（SiC）现在作为一种成熟的技术，在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业，覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅（Si）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的应用具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度，可靠性和效率。

碳化硅MOS选型

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