碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。
发布时间:2023-5-9 14:19
发布者:Eways-SiC
SiCMOS管国产实现电压650V-1200V-1700V-3300V-6500V,电流5A-150A 。
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SiCMOS管国产实现电压650V-1200V-1700V-3300V-6500V,电流5A-150A 。
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具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等 |
6500V 的MOS 好 |
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1700v 3300v SICMOS |
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碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-841262-1-1.html |
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碳化硅MOS晶圆![]() |
碳化硅SiC MOSFETs功率管栅极驱动基础知识 - 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-825360-1-1.html |
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3300V 的![]() |
3300V碳化硅MOS业界领先的国产(SiC)功率器件 - 无源器件/分立半导体 - 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-857169-1-1.html |
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