碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。

发布时间:2023-5-9 14:19    发布者:Eways-SiC
关键词: 碳化硅MOS , 新能源 , 电机驱动 , 风能逆变 , 光伏逆变
SiCMOS管国产实现电压650V-1200V-1700V-3300V-6500V,电流5A-150A 。 碳化硅MOS耐压650V-1200V-1700V-3300V 国产.pdf (9.39 MB) 通过IATF16949、ISO9001等质量体系和第三方AEC-Q101产品可靠性认证。碳化硅(SiC)现在作为一种成熟的技术,在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业,覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅(Si)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用具有更多优势,包括更高的开关频率,更低的工作温度,更高的电流电压容量,以及更低的损耗,进而可以实现更高的功率密度,可靠性和效率。 QQ图片20240513113231.png QQ图片20240513113323.png QQ图片20240626093310.png
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Eways-SiC 发表于 2023-5-10 08:55:01
具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等
Eways-SiC 发表于 2023-6-28 09:17:31
6500V 的MOS 好
Eways-SiC 发表于 2023-7-27 17:33:58
碳化硅MOS耐压650V-3300V和SiC模块产品简介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取码x913
Eways-SiC 发表于 2023-8-11 09:52:39
具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率
Eways-SiC 发表于 2023-9-5 14:35:02
1700v 3300v SICMOS
Eways-SiC 发表于 2023-10-7 12:00:58
实现更高的功率密度,可靠性和效率。
Eways-SiC 发表于 2023-11-2 16:11:19
碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性 电子工程网  https://www.eechina.com/thread-841262-1-1.html
Eways-SiC 发表于 2023-12-2 09:02:57
宽带隙、高临界击穿电场、高热导率 顶!
Eways-SiC 发表于 2024-1-9 08:45:23
碳化硅MOS晶圆
Eways-SiC 发表于 2024-2-19 09:28:56
碳化硅SiC MOSFETs功率管栅极驱动基础知识 - 电子工程网  https://www.eechina.com/thread-825360-1-1.html
Eways-SiC 发表于 2024-3-27 11:44:38
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Eways-SiC 发表于 2024-7-8 13:55:20
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